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STGB20H60DF规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.
特性 Features
• High speed switching
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB20H60DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：210
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- VCE(sat)_typ(V)
：1.6
- VF_typ(V)
：1.8
- Qg_typ(nC)
：115
- Eon_typ(mJ)
：0.21
- Eoff_typ(mJ)
：0.26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
D2PAK3 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
D2PAK-3 |
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D2PAK |
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ST |
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9000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 |
