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STGB20H60DF中文资料600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.
特性 Features
• High speed switching
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB20H60DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：210
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- VCE(sat)_typ(V)
：1.6
- VF_typ(V)
：1.8
- Qg_typ(nC)
：115
- Eon_typ(mJ)
：0.21
- Eoff_typ(mJ)
：0.26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
D2PAK3 |
7350 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
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ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
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STMICROELECTRONICS |
23+ |
NA |
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ST |
23+ |
D2PAK |
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询价 | ||
SST |
原厂封装 |
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询价 | |||
ST(意法) |
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NA |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
9990 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
