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STGB20H60DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coeffi • High speed switching \n• Tight parameters distribution \n• Safe paralleling \n• Low thermal resistance \n• Short-circuit rated \n• Ultrafast soft recovery antiparallel diode;	ST 意法半导体	ST
STGB20H60DF	文件：1.85887 Mbytes Page：22 Pages	600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT 文件：1.85887 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STGW20H60DF	文件：1.29889 Mbytes Page：17 Pages	600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(s 文件：1.29889 Mbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
600
PTOT_max(W)：
210
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
20
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
40
IF_max(@ Tc=100°C)(A)：
20
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
40
VCE(sat)_typ(V)：
1.6
VF_typ(V)：
1.8
Qg_typ(nC)：
115
Eon_typ(mJ)：
0.21
Eoff_typ(mJ)：
0.26

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