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STGB19NC60HDT4中文资料19 A、600 V超快IGBT，带超高速二极管数据手册ST规格书
STGB19NC60HDT4规格书详情
描述 Description
These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB19NC60HDT4
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：130
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：19
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.8
- VF_typ(V)
：2.6
- Qg_typ(nC)
：53
- Eon_typ(mJ)
：0.09
- Eoff_typ(mJ)
：0.19
- Qrr_typ(nC)
：30
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