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STGB19NC60KDT4规格书详情
描述 Description
These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Low on voltage drop (VCE(sat))
• Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Short-circuit withstand time 10 μs
• IGBT co-packaged with ultrafast free-wheeling diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB19NC60KDT4
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：125
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：35
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.9
- VF_typ(V)
：1.9
- Qg_typ(nC)
：55
- Eon_typ(mJ)
：0.17
- Eoff_typ(mJ)
：0.26
- Qrr_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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