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STGB19NC60WT4数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGB19NC60WT4 |
| 参数属性 | STGB19NC60WT4 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 40A 130W D2PAK |
| 功能描述 | IGBT 600V 40A 130W D2PAK |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 10:46:00 |
| 人工找货 | STGB19NC60WT4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGB19NC60WT4规格书详情
简介
STGB19NC60WT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGB19NC60WT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGB19NC60WT4
- 生产厂家
：ST
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：600V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：40A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.5V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值
：130W
- 开关能量
：81µJ（开），125µJ（关）
- 输入类型
：标准
- 栅极电荷
：53nC
- 25°C 时 Td（开/关）值
：25ns/90ns
- 测试条件
：390V，12A，10 欧姆，15V
- 工作温度
：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装
：D2PAK
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