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STGB14NC60KDT4规格书详情
描述 Description
These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Low on voltage drop (VCE(sat))
• Low Cres / Cies ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultrafast recovery antiparallel diode
• Short-circuit withstand time 10 μs
技术参数
- 制造商编号
：STGB14NC60KDT4
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：80
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：14
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：25
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：10
- VCE(sat)_typ(V)
：1.85
- VF_typ(V)
：1.8
- Qg_typ(nC)
：34.4
- Eon_typ(mJ)
：0.08
- Eoff_typ(mJ)
：0.16
- Qrr_typ(nC)
：98
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