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STGB3NC120HD中文资料7 A、1200 V超快IGBT，带超高速二极管数据手册ST规格书
STGB3NC120HD规格书详情
描述 Description
This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in PowerMESH™ technology combined with high voltage ultrafast diode.
特性 Features
• High voltage capability
• High speed
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB3NC120HD
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：1200
- PTOT_max(W)
：75
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：7
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：14
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：3
- VCE(sat)_typ(V)
：2.3
- VF_typ(V)
：1.6
- Qg_typ(nC)
：24
- Eon_typ(mJ)
：0.24
- Eoff_typ(mJ)
：0.29
- Qrr_typ(nC)
：85
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
D2PAK |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法 |
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D2PAK |
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ST/意法半导体 |
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D2PAK |
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ST/意法半导体 |
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ST |
22+ |
D2PAK |
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询价 |
