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STGB40H65FB规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• High speed switching series
• Minimized tail current
• Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
• Tight parameter distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
技术参数
- 制造商编号
：STGB40H65FB
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：283
- Freewheeling diode
：false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：40
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：80
- VCE(sat)_typ(V)
：1.6
- Qg_typ(nC)
：210
- Eon_typ(mJ)
：0.498
- Eoff_typ(mJ)
：0.363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
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ST |
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