首页>STGB40H65FB>规格书详情
STGB40H65FB中文资料650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT数据手册ST规格书
STGB40H65FB规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• High speed switching series
• Minimized tail current
• Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
• Tight parameter distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
技术参数
- 制造商编号
：STGB40H65FB
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：283
- Freewheeling diode
：false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：40
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：80
- VCE(sat)_typ(V)
：1.6
- Qg_typ(nC)
：210
- Eon_typ(mJ)
：0.498
- Eoff_typ(mJ)
：0.363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
79000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
1582 |
只做正品 |
询价 | ||||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263-3 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
