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STGB40V60F中文资料600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT数据手册ST规格书
STGB40V60F规格书详情
描述 Description
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• Tail-less switching off
• VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
技术参数
- 制造商编号
：STGB40V60F
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：283
- Freewheeling diode
：false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：40
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：80
- VCE(sat)_typ(V)
：1.8
- Qg_typ(nC)
：226
- Eon_typ(mJ)
：0.46
- Eoff_typ(mJ)
：0.41
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
D2PAK |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
Si |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST |
976 |
只做正品 |
询价 | ||||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
