首页>STGB8NC60KD>规格书详情
STGB8NC60KD数据手册ST中文资料规格书
STGB8NC60KD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Lower on voltage drop (VCE(sat))
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Short circuit withstand time 10µs
技术参数
- 制造商编号
：STGB8NC60KD
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：65
- Freewheeling diode
：false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：8
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：15
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：7
- VCE(sat)_typ(V)
：2.2
- VF_typ(V)
：1.6
- Qg_typ(nC)
：19
- Eon_typ(mJ)
：0.06
- Eoff_typ(mJ)
：0.09
- Qrr_typ(nC)
：16.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO263 |
6000 |
全新原装 公司现货 |
询价 | ||
ST |
TO263 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO263 |
8000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
60000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268832邹小姐 |
询价 |
