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STGB8NC60KD中文资料最新短路保护“K”系列数据手册ST规格书
STGB8NC60KD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Lower on voltage drop (VCE(sat))
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Short circuit withstand time 10µs
技术参数
- 制造商编号
：STGB8NC60KD
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：65
- Freewheeling diode
：false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：8
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：15
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：7
- VCE(sat)_typ(V)
：2.2
- VF_typ(V)
：1.6
- Qg_typ(nC)
：19
- Eon_typ(mJ)
：0.06
- Eoff_typ(mJ)
：0.09
- Qrr_typ(nC)
：16.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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TO263 |
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ST |
TO263 |
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ST |
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ST |
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TO-263 |
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