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STGB8NC60KDT4规格书详情
描述 Description
These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. These devices are well-suited for resonant or soft-switching applications.
特性 Features
• Lower on voltage drop (VCE(sat))
• Lower Cres / Cies ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra-fast recovery antiparallel diode
• Short-circuit withstand time 10 μs
技术参数
- 型号：
STGB8NC60KDT4
- 功能描述：
IGBT 晶体管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
21+ |
TO263 |
8000 |
询价 | |||
ST |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO263 |
13596 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | |||
ST |
TO263 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
7500 |
询价 |
