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STGD4M65DF2	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesIGBTs,whichrepresentanoptimal balancebetweeninvertersystemperformanceandefficiencywherethelow-lossand theshort-circuitfunctionalityise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGD4M65DF2	文件：1.09091 Mbytes Page：19 Pages	Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGD4M65DF2_V01	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesIGBTs,whichrepresentanoptimal balancebetweeninvertersystemperformanceandefficiencywherethelow-lossand theshort-circuitfunctionalityise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGB4M65DF2	文件：1.16759 Mbytes Page：18 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,4Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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