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STGD4M65DF2中文资料650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT数据手册ST规格书
STGD4M65DF2规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• 6 µs of short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
• Tight parameter distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and very fast recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGD4M65DF2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：68
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：4
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：8
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：4
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：8
- VCE(sat)_typ(V)
：1.6
- VF_typ(V)
：1.9
- Qg_typ(nC)
：15.2
- Eon_typ(mJ)
：0.04
- Eoff_typ(mJ)
：0.14
- Err_typ(µJ)
：15
- Qrr_typ(nC)
：140
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2020+ |
TO-252-3 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
DPAK-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
DPAK-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
DPAK-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-252-3 |
26800 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252-3 |
32000 |
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ST |
24+ |
TO-252 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
20000 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
