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STGD4M65DF2	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	丝印：G4M65DF2；Package：DPAK；Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is e 文件：448.18 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
G4M65DF2	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is e 文件：448.18 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多G4M65DF2供应商更新时间2025-10-31 23:00:00