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IRG4PC50W	文件：157.32 Kbytes Page：8 Pages	丝印：G4PC50W；Package：TO-247AC；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design 文件：157.32 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
G4PC50W	文件：157.32 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design 文件：157.32 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

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更多G4PC50W供应商更新时间2025-10-31 11:04:00