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STGD7NB60MT4	文件：529.36 Kbytes Page：11 Pages	丝印：GD7NB60M；Package：DPAK；N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / DPAK PowerMESH™ IGBT n HIGH INPUT IMPEDANCE n LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat) n OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT n LOW GATE CHARGE n HIGH CURRENT CAPABILITY n HIGH FREQUENCY OPERATION n CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH™ ANTIPARALLEL DIODE DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented str 文件：529.36 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STGD7NB60MT4
功能描述：
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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