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STGD7NB60MT4

文件：529.36 Kbytes

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N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / DPAK PowerMESH™ IGBT

nHIGHINPUTIMPEDANCE nLOWON-VOLTAGEDROP(Vcesat) nOFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT nLOWGATECHARGE nHIGHCURRENTCAPABILITY nHIGHFREQUENCYOPERATION nCO-PACKAGEDWITHTURBOSWITCH™ ANTIPARALLELDIODE DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedona patentedstr

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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详细参数

型号：
STGD7NB60MT4
功能描述：
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多STGD7NB60MT4供应商更新时间2024-5-23 15:30:00

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