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GD7NB60M

型号:STGD7NB60MT4;Package:DPAK;N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / DPAK PowerMESH™ IGBT

n HIGH INPUT IMPEDANCE n LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat) n OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT n LOW GATE CHARGE n HIGH CURRENT CAPABILITY n HIGH FREQUENCY OPERATION n CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH™ ANTIPARALLEL DIODE DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented str

文件:529.36 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    GD7NB60M

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多GD7NB60M供应商 更新时间2025-8-7 13:31:00