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STGD7NB60MT4中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STGD7NB60MT4
厂商型号

STGD7NB60MT4

功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / DPAK PowerMESH™ IGBT

丝印标识

GD7NB60M

封装外壳

DPAK

文件大小

529.36 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 10:17:00

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STGD7NB60MT4规格书详情

n HIGH INPUT IMPEDANCE

n LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

n OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

n LOW GATE CHARGE

n HIGH CURRENT CAPABILITY

n HIGH FREQUENCY OPERATION

n CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH™

ANTIPARALLEL DIODE

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a

patented strip layout, STMicroelectronics has designed

an advanced family of IGBTs, the Power-

MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances.

The suffix M identifies a family optimized to

achieve very low switching switching times for high

frequency applications (<20KHZ)

APPLICATIONS

n MOTOR CONTROLS

n SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH

AND RESONANT TOPOLOGIES

产品属性

  • 型号:

    STGD7NB60MT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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32500
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