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STGD7NB120S-1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGD7NB120S-1 |
参数属性 | STGD7NB120S-1 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 10A 55W IPAK |
功能描述 | N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT |
文件大小 |
43.82 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-27 9:30:00 |
STGD7NB120S-1规格书详情
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”S” identifies a family optimized to achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (
■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
■ VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
APPLICATIONS
■ LIGHT DIMMER
■ INRUSH CURRENT LIMITATION
■ MOTOR CONTROL
STGD7NB120S-1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGD7NB120S-1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGD7NB120S-1
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,7A
- 开关能量:
15mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
570ns/-
- 测试条件:
960V,7A,1 千欧,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:
TO-251(IPAK)
- 描述:
IGBT 1200V 10A 55W IPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO- |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST |
22+ |
IPAKTO-251 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
IPAKTO-251 |
35400 |
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ST原装正品现货 |
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. |
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STMicro. |
23+ |
DPAK |
7750 |
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STM |
1709+ |
TO-252 |
32500 |
普通 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
2023+ |
TO-252 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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ST/意法 |
23+ |
IPAKTO-251 |
90000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
IPAKTO-251 |
23010 |
询价 |