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|---|---|---|---|---|
STGDL6NC60DI | 6 A, 600 V hyper fast IGBT 文件：645.32 Kbytes 页数：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
6 A, 600 V hyper fast IGBT 文件：645.32 Kbytes 页数：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 13A 50W DPAK | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：406.44 Kbytes 页数：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT 文件：424.69 Kbytes 页数：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
600 V - 6 A hyper fast IGBT 文件：523.59 Kbytes 页数：19 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
STGDL6NC60DI
- 功能描述：
IGBT 晶体管 600V 6A hyper fast IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST全系列 |
25+23+ |
DPAK |
26250 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
DPAK |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ST |
15+ |
DPAK |
500 |
进口原装现货假一赔万力挺实单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
99692 |
询价 | |||
ST |
25+ |
DPAK |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST |
25+ |
SOT-89 |
86720 |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
询价 | ||
22+ |
NA |
3000 |
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询价 | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
DPAK |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
DPak |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
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