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RJH60D2DPE	文件：170 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPE-00-J3	文件：170 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-E0	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 80 ns 文件：120.05 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5µs typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa 文件：171.49 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0-T2	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5µs typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa 文件：171.49 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPE_10	文件：88.78 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：88.78 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPE_15	文件：107.82 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter 文件：107.82 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-E0_15	文件：120.82 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter 文件：120.82 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0_10	文件：88.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：88.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0_15	文件：108.44 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter 文件：108.44 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
RJH60D2D
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT cation

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