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RJH60F5DPQ-A0	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω 文件：112.36 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0	文件：94.79 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching 文件：94.79 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60F5DPQ-A0-T0	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω 文件：112.36 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0_15	文件：94.79 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching 文件：94.79 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 260.4W TO247A	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-247A
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
160
IC (A) @25 °C：
80
IC (A) @100 °C：
40
VCE (sat)(V)：
1.37
tf (µs) 典型值：
0.085
FRD Vf (V)：
1.2
FRD trr (ns)：
90
Pch (W)：
260.4
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	RJH60F5DPQ-A0	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	9048	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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