RJH60F5DPQ-A0-T0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	RJH60F5DPQ-A0-T0
功能描述	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
文件大小	112.36 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Renesas Technology Corp
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-8-3 11:10:00
人工找货	RJH60F5DPQ-A0-T0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

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