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RJH60F5DPQ-A0-T0规格书详情
特性 Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 型号：
RJH60F5DPQ-A0-T0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS |
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Renesas |
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Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
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RENESAS/瑞萨 |
2023+ |
TO-247 |
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全新原装正品,优势价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-247 |
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原装正品 |
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Renesas Electronics America |
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RENESAS/瑞萨 |
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