首页>RJH60F4DPQ-A0>规格书详情
RJH60F4DPQ-A0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60F4DPQ-A0 |
| 参数属性 | RJH60F4DPQ-A0 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 60A 235.8W TO247A |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
113.43 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | RJH60F4DPQ-A0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60F4DPQ-A0规格书详情
特性 Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf = 80 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60F4DPQ-A0#T0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.82V @ 15V，30A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/85ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247A
- 描述：
IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
4118 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
瑞萨 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
19+ |
TO-247 |
4500 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Renesas Electronics America In |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
25+23+ |
TO247 |
44852 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-247 |
4500 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
