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RJH60F4DPQ-A0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60F4DPQ-A0 |
| 参数属性 | RJH60F4DPQ-A0 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 60A 235.8W TO247A |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
113.43 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | RJH60F4DPQ-A0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60F4DPQ-A0规格书详情
特性 Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf = 80 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60F4DPQ-A0#T0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.82V @ 15V，30A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/85ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247A
- 描述：
IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
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