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RJH60F4DPQ-A0	文件：113.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,Ta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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RJH60F4DPQ-A0_15	文件：88.73 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F4DPQ-A0#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 235.8W TO247A	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海市鑫鸿达电子	RJH60F4DPQ-A0-T0	RENESAS/瑞萨	2022+		30	全新原装货期两周	询价
深圳市科雨电子有限公司	RJH60F4DPQ-A0#T0	RENESAS	1809+	TO-247	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	RJH60F4DPQ-A0-T0	RENESAS/瑞萨	23+	TO-247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	RJH60F4DPQ-A0#T0	RENESAS/瑞萨	22+	TO247A	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多RJH60F4DPQ-A0供应商更新时间2025-5-24 9:50:00