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RJH60F4DPQ-A0-T0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

RJH60F4DPQ-A0-T0
厂商型号

RJH60F4DPQ-A0-T0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

113.43 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 14:02:00

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RJH60F4DPQ-A0-T0规格书详情

特性 Features

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

tf = 80 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

产品属性

  • 型号:

    RJH60F4DPQ-A0-T0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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