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RJH60F5DPK分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
![RJH60F5DPK](https://img.114ic.com/dgk/Renders/Renesas%20Tech%20Renders/TO-3P-3,%20SC-65-3;%20PRSS0004ZE-A.jpg)
厂商型号 |
RJH60F5DPK |
参数属性 | RJH60F5DPK 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P |
功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
文件大小 |
199.09 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-21 15:56:00 |
RJH60F5DPK规格书详情
Features
• High speed switching
• Low on-state voltage
• Fast recovery diode
RJH60F5DPK属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。瑞萨科技有限公司制造生产的RJH60F5DPK晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
RJH60F5DPK-00#T0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,40A
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
53ns/105ns
- 测试条件:
400V,30A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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