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RJH60F5DPK分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60F5DPK |
| 参数属性 | RJH60F5DPK 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 文件大小 |
86.04 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-21 16:42:00 |
RJH60F5DPK规格书详情
RJH60F5DPK属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。瑞萨科技有限公司制造生产的RJH60F5DPK晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
RJH60F5DPK-00#T0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，40A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/105ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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