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RJH60F5DPQ-A0-T0	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω 文件：112.36 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJH60F5DPQ-A0-T0供应商更新时间2025-10-7 14:14:00