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600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
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