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RJH60D2DPP-E0	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 80 ns 文件：120.05 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJH60D2DPP-E0供应商更新时间2025-10-6 16:30:00