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RJH60F7DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V,

文件:112.21 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

RJJ0319DSP

SOP-8

RJK0301DPB-02/J0

SOT-669

RENESAS/瑞

RJK0304DPB-00-J0

TO-252

RENESAS/瑞萨

RJK0332DPB-01

LFPAK

详细参数

  • 型号:

    RJH60F7DPQ-A0-T0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJH60F7DPQ-A0-T0供应商 更新时间2025-11-30 11:10:00