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RJH60D1DPE	文件：170.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170.02 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPE-00-J3	文件：170.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170.02 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-E0	文件：121.43 Kbytes Page：10 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns 文件：121.43 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-M0	文件：171.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features ● Short circuit withstand time (5 s typ.) ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) ● Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching 文件：171.44 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-M0-T2	文件：171.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features ● Short circuit withstand time (5 s typ.) ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) ● Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching 文件：171.44 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPE_11	文件：86.98 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：86.98 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPE_15	文件：111.47 Kbytes Page：10 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter 文件：111.47 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-E0_15	文件：122.19 Kbytes Page：10 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter 文件：122.19 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-M0_10	文件：88.32 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：88.32 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-M0_15	文件：107.4 Kbytes Page：10 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter 文件：107.4 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
RJH60D1
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT
Application：
Inverter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市正纳电子有限公司	RJH60D2	Renesas(瑞萨)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
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更多RJH60D1供应商更新时间2026-2-4 11:10:00

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