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RJH60D1DPP-M0-T2	文件：171.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features ● Short circuit withstand time (5 s typ.) ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) ● Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching 文件：171.44 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJH60D1DPP-M0-T2供应商更新时间2025-10-5 11:10:00