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RJH60D1DPP-E0	文件：121.43 Kbytes Page：10 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns 文件：121.43 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-E0	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60D1DPP-E0_15	文件：122.19 Kbytes Page：10 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter 文件：122.19 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D1DPP-E0#T2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 10A	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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更多RJH60D1DPP-E0供应商更新时间2025-10-7 15:01:00