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NESG2031M05	文件：158.94 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=21.5dBTY	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2031M05	文件：156.95 Kbytes Page：12 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR DESCRIPTION NECsNESG2031M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators. NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequency	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2031M05	文件：790.16 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2031M05-A	文件：158.94 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=21.5dBTY	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2031M05-T1	文件：156.95 Kbytes Page：12 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR DESCRIPTION NECsNESG2031M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators. NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequency	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2031M05-T1	文件：158.94 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=21.5dBTY	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2031M05-T1-A	文件：158.94 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=21.5dBTY	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2031M05-T1	文件：790.16 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2031M05-T1-A	文件：790.16 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NESG2031M05
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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