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NESG270034	文件：320.27 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 文件：320.27 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034	文件：349.47 Kbytes Page：11 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) 文件：349.47 Kbytes 页数：11 Pages	CEL	CEL
NESG270034	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Sige Rf Transistor For Medium Output Power Amplification (2 W) 3-Pin Power Minimold (34 Pkg) The NESG270034 is a NPN Sige Rf Transistor For Medium Output Power Amplification (2 W) 3-Pin Power Minimold (34 Pkg).	Renesas 瑞萨	Renesas
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NESG270034-AZ	文件：320.27 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 文件：320.27 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034-T1	文件：320.27 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 文件：320.27 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034-T1-AZ	文件：320.27 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 文件：320.27 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034-A	文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages	RF & Microwave device 文件：137.58 Kbytes 页数：2 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034-AZ	文件：349.47 Kbytes Page：11 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) 文件：349.47 Kbytes 页数：11 Pages	CEL	CEL
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详细参数

型号：
NESG270034
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

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