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NESG3032M14-A

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain Amplification4-PinLead-LessMinimold(M14,1208PKG) FEATURES •TheNESG3032M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NESG3032M14-A

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG3032M14

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain Amplification4-PinLead-LessMinimold(M14,1208PKG) FEATURES •TheNESG3032M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NESG3032M14

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

详细参数

  • 型号:

    NESG3032M14-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

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更多NESG3032M14-A供应商 更新时间2025-7-21 16:31:00