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NESG3032M14-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG3032M14-A

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

168.45 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-8 8:43:00

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NESG3032M14-A规格书详情

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG3032M14-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
21+
SOT343
10000
原装现货假一罚十
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RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
NEC
25+
SOT343
8210
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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RENESAS
20+
SOT343
67974
进口原装现货,假一赔十
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23+
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2023+
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24+
NA/
30000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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2014+
SOT343
30000
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RENESAS/瑞萨
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880000
明嘉莱只做原装正品现货
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