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NESG3032M14	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain Amplification4-PinLead-LessMinimold(M14,1208PKG) FEATURES •TheNESG3032M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3032M14	文件：267.53 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG3032M14-A	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain Amplification4-PinLead-LessMinimold(M14,1208PKG) FEATURES •TheNESG3032M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3032M14-T3	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain Amplification4-PinLead-LessMinimold(M14,1208PKG) FEATURES •TheNESG3032M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3032M14-T3-A	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain Amplification4-PinLead-LessMinimold(M14,1208PKG) FEATURES •TheNESG3032M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NESG3032M14-EVNF24	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NESG3032M14	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NESG3032M14
制造商：
CEL
制造商全称：
CEL
功能描述：
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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