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NESG3032M14	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG) FEATURES • The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ 文件：168.45 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3032M14	文件：267.53 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 文件：267.53 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
NESG3032M14	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	Renesas 瑞萨	Renesas
NESG3032M14-A	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG) FEATURES • The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ 文件：168.45 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3032M14-T3	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG) FEATURES • The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ 文件：168.45 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3032M14-T3-A	文件：168.45 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG) FEATURES • The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ 文件：168.45 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3032M14-A	文件：267.53 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 文件：267.53 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
NESG3032M14-T3	文件：267.53 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 文件：267.53 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
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NESG3032M14-EVNF24	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NESG3032M14	CEL	CEL

详细参数

型号：
NESG3032M14
制造商：
CEL
制造商全称：
CEL
功能描述：
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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