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NESG4030M14-T3-A	文件：112.49 Kbytes Page：10 Pages	NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) NPNSiGe:CRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=1.1dBTYP.,Ga=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=5.8GHz •Maximumstablepowergain:MSG=	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NESG4030M14-T3-A	文件：327.84 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTOR NPNSiGe:CRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=1.1dBTYP.,Ga=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=5.8GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG4030M14-T3	文件：112.49 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiGe:CRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) NPNSiGe:CRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=1.1dBTYP.,Ga=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=5.8GHz •Maximumstablepowergain:MSG=	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NESG4030M14-T3	文件：327.84 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONGERMANIUMCRFTRANSISTOR NPNSiGe:CRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=1.1dBTYP.,Ga=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=5.8GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NESG4030M14-T3-A
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN
SiGe：
C Amp & Osc with ESD protection. ROHS compliant
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NESG4030M14-T3-A	RENESAS/瑞萨		SOT-343	27000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市惊羽科技有限公司	NESG4030M14-T3-A	RENESAS-瑞萨	24+25+/26+27+	SOT-343	57500	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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深圳市吉银科技有限公司	NESG505CT-GT	NCC/黑金刚	1535+		1545		询价
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