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NESG4030M14-T3中文资料PDF规格书

NESG4030M14-T3
厂商型号

NESG4030M14-T3

功能描述

NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

文件大小

112.49 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 18:32:00

NESG4030M14-T3规格书详情

NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe:C HBT technology (UHS4) adopted

• Improvement of ESD protection

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG4030M14-T3

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN

  • SiGe:

    C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD(M14, 1208 PKG)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NHIA
23+
NA/
5750
原装现货,当天可交货,原型号开票
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