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NESG4030M14-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG4030M14-A

功能描述

NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

文件大小

112.49 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-10-8 20:00:00

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NESG4030M14-A规格书详情

NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe:C HBT technology (UHS4) adopted

• Improvement of ESD protection

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG4030M14-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 Low Noise,

  • SiGe:

    C HBT 2V,6mA@5.8GHz

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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