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NESG3033M14-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG3033M14-A

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

176.65 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 9:06:00

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NESG3033M14-A规格书详情

FEATURES

• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG3033M14-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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RENESAS/瑞萨
24+
65200
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RENESAS
2025+
SOT23
3365
全新原厂原装产品、公司现货销售
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RENESAS/瑞萨
24+
SOT23-3
60000
全新原装现货
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23+
SOT-163
50000
全新原装正品现货,支持订货
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RENESAS
25+
SOT23-3
8800
公司只做原装,详情请咨询
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24+
SOT23-3
16900
原装正品现货支持实单
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RENESAS/瑞萨
22+
SOT-23
3000
原装正品,支持实单
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SOT23-3
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进口原装现货,假一赔十
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