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厂商型号

NESG3032M14-T3

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

168.45 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 18:15:00

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NESG3032M14-T3规格书详情

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG3032M14-T3

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
1520+
SOT343
7449
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
NEC
SOT23-4
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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Renesas(瑞萨)
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NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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RENESAS/瑞萨
2014+
SOT343
30000
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RENESAS/瑞萨
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NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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SOT343
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RENESAS/瑞萨
24+
NA/
30000
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RENESAS
24+
SOT-343
5000
全新原装正品,现货销售
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RENESAS
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SOT-343
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RENESAS
24+
SOT-343
8000
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