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NESG340034-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NESG340034-T1
厂商型号

NESG340034-T1

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor

文件大小

214.07 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 18:29:00

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NESG340034-T1规格书详情

DESCRIPTION

The NESG340034 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES

• NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz

• Po (1 dB) = 24 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

• OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =12.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) : fT = 10 GHz

• This product is improvement of ESD

• 3-pin power minimold (34 PKG)

APPLICATIONS

• Suitable for up to 1 GHz applications.

e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or booster amplifier for Digital-TV.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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