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NESG3400M01-T1中文资料PDF规格书

NESG3400M01-T1
厂商型号

NESG3400M01-T1

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor

文件大小

204.57 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

NESG3400M01-T1规格书详情

DESCRIPTION

The NESG3400M01 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES

• NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz

• Po (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

• OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 50 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =13.0 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) : fT = 10 GHz

• This product is improvement of ESD

• 6-pin super minimold (M01 PKG)

APPLICATIONS

• Suitable for up to 1 GHz applications.

e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or Power splitter for Digital-TV.

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