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NESG3400M01-T1	文件：204.57 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor DESCRIPTION The NESG3400M01 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. FEATURES • NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz • Po (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz • OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 50 mA, f = 1 GHz 文件：204.57 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NESG4030M14-T3-A	RENESAS/瑞萨	23+	SOT-343	27000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市赛美科科技有限公司	NESL064AT	NICHIA		SMD-2	35560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
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更多NESG3400M01-T1供应商更新时间2025-10-8 11:10:00

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