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NESG7030M04-T2

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG

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瑞萨瑞萨科技有限公司

NESG7030M04-T2-A

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG

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NESG7030M04-T2B

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG

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NESG7030M04-T2B-A

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG

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详细参数

  • 型号:

    NESG7030M04-T2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS丨全系列供应
23+
RENESAS丨全系列供应
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原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货
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