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NESG7030M04-T2B-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG7030M04-T2B-A

功能描述

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

文件大小

154.71 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 17:10:00

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NESG7030M04-T2B-A规格书详情

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high gain amplification.

NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

Ga = 14 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

• PO (1 dB) = 4.5 dBm TYP. @ VCE = 2 V, IC (set) = 10 mA, f = 2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =16.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe: C HBT technology

• This product is improvement of ESD.

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04 PKG)

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